深圳市佰骏工业产品设计有限公司
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详细介绍
N沟道增强型MOSFET TDM3536
一般描述 一般特征
该TDM3536采用先进的沟槽技术 RDS(ON)<6.5mΩ@ VGS = 4.5V
提供优异的RDS(ON)和低门电荷。 这个 RDS(ON)<4.2mΩ@ VGS =10V
装置是适合用作负载开关或在PWM应用。 高功率和电流处理能力
封装DFN5*6-8 表面贴装封装
应用范围:PWM应用、负载开关、电源管理、动力系统 可提供无铅和绿色器件(符合RoHS标准)
联系方式
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