深圳市浩畅半导体有限公司
主营:二极管; 三极管; 高; 低压MOS; 电源管理IC; 整流桥堆; 可控硅; 
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详细介绍

深圳市浩畅半导体有限公司成立于2008年, 专业研发、生产、销售半导体分立器件及IC。选购国内外著名半导体厂家的晶圆芯片,OEM委托国内半导体封装大厂生产加工。

主营贴片二、三极管系列,高、低压MOS系列,电源管理IC(AC-DC/DC-DC), LDO低压差线性稳压器,三端稳压IC,基准源IC,LED驱动IC,降压、升压IC,电压检测,运算放大器,电压比较器,时基电路,功放电路,可控硅,整流桥等系列产品。

场效应管 2N60C  TO-220F: 

产品型号:2N60C 

产品封装:TO-220F 

产品品牌:浩畅 

是否环保:无铅环保 

最小包装:1000PCS 

N沟道增强型功率MOSFET 

特点: 

2N60C为N沟道增强型高压功率MOS场 效应管。该产品广泛适用于AC-DC开关电源, DC-DC电源转换器,高压H桥PMW马达驱动。

2A,600V,RDS DS DS(on)(典型值)4Ω

漏源电压VDS =600V , 连续漏电流ID =2A 

栅-源电压VGS=±30V 

脉冲漏极电流IDM:2A 

最大功耗PD:45W

储存温度 Tstg -55~150 ℃

漏源反向电压 BVDSS VGS=0V, ID=250μA

漏源截止电流 IDSS VDS =600V,VGS= 0V、

栅源截止电流 IGSS(F/R) VGS = ±30V,VDS= 0V

通态电阻 RDS(on) VGS=10V, ID=1A  

栅源极开启电压 VGS(th) VDS = VGS, ID = 250Μa 

漏二极管正向 导通压降 VFSD IS=2A,VGS=0V

超低导通电阻的高细胞密度设计 

完全表征雪崩电压和电流 

用途: 

联系方式
深圳市浩畅半导体有限公司
联系人: 黄** 先生 (销售员)  
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传真: 0755-83939287
邮箱: hc58888888@163.com
联系地址: 深圳市福田区华强北街道华强路深纺大厦C座西6楼
邮编: 518109
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