深圳市浩畅半导体有限公司
主营:二极管; 三极管; 高; 低压MOS; 电源管理IC; 整流桥堆; 可控硅; 
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详细介绍

特价销售场效应管5N60C封装TO-220F 以下请看详细参数.

场效应管 5N60C  TO-220F: 

产品型号:5N60C 

产品封装:TO-220F 

产品品牌:浩畅 

是否环保:无铅环保 

最小包装:1000PCS 

N沟道增强型功率MOSFET 

特点: 

5N60C为N沟道增强型高压功率MOS场 效应管。该产品广泛适用于AC-DC开关电源, DC-DC电源转换器,高压H桥PMW马达驱动。

5A,600V,RDS DS DS(on)(典型值)1.97Ω 

低电荷、低反向传输电容

快度速关开

漏源电压VDS =600V , 连续漏电流ID =5A 

栅-源电压VGS=±30V 

脉冲漏极电流IDM:4A 

最大功耗PD:36W

储存温度 Tstg -55~150 ℃

漏源反向电压 BVDSS VGS=0V, ID=250μA

漏源截止电流 IDSS VDS =600V,VGS= 0V、

栅源截止电流 IGSS(F/R) VGS = ±30V,VDS= 0V

通态电阻 RDS(on) VGS=10V, ID=5A  

栅源极开启电压 VGS(th) VDS = VGS, ID = 250ΜA

漏二极管正向 导通压降 VFSD IS=5A,VGS=0V

超低导通电阻的高细胞密度设计 

完全表征雪崩电压和电流 

用途: 

功率开关的应用 

开关和高频电路 

不间断电源 

联系方式
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联系人: 黄** 先生 (销售员)  
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传真: 0755-83939287
邮箱: hc58888888@163.com
联系地址: 深圳市福田区华强北街道华强路深纺大厦C座西6楼
邮编: 518109
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