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有源器件信息
M8-0420混频器放大器原厂直供美国MARKI品牌
M8-0420混频器放大器原厂直供美国MARKI品牌M8-0420混频器放大器原厂直供美国MARKI品牌简介:Marki公司拥有领先的混频器制造技术25年,覆盖频率高达65G..
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肖特基贴片二极管SB10100L
贴片二极管制造商 SB10100L封装TO-277,低压降VF0.45V,电流10A,耐压100V 深圳市浩畅半导体有限公司全市场最低价疯狂抛售:MB10F(芯片42MIL/46MIL)MB6..
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桥堆MB6F电流0.8A电压600V超薄型桥堆
深圳市浩畅半导体有限公司是一家电子元器件工厂,公司拥有自主品牌“”HC.浩畅“,品质一流,价格合适。 贴片二极管,三极管,稳压IC,MOS管,TVS管..
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红胶专用贴片整流桥堆MB10F
特价批发浩畅MB10F贴片整流桥 全新环保整流桥MB10F基本参数: 产品品牌:浩畅 产品型号:MB10F 产品封装:MB-F 产品包装:盘装 最小包装:5000PCS ..
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贴片肖特基二极管SS24
肖特基二极管 SMA/SMB/SMC/TO-277 封装 型号:SS12 SS13 SS14 SS15 SS16 SS18 SS110 SS1150 SS1200SS22 SS23 SS24 SS25 SS26 SS28 SS21..
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肖特基二极管SS12
肖特基二极管 SMA/SMB/SMC/TO-277 封装 型号:SS12 SS13 SS14 SS15 SS16 SS18 SS110 SS1150 SS1200SS22 SS23 SS24 SS25 SS26 SS28 SS21..
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整流二极管1N4004
厂家直销贴片二极管型号如下:整流二极管SMA/SMB/SMB/SMC封装 型号:M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 S1A/GS1A S1B/GS1B S1D/GS1D S1G/GS1GS1J/GS1J ..
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整流二极管1N4001贴片M1
厂家直销贴片二极管型号如下:整流二极管SMA/SMB/SMB/SMC封装 型号:M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 S1A/GS1A S1B/GS1B S1D/GS1D S1G/GS1GS1J/GS1J ..
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电源三极管S9018
直插三极管S9018基本参数:产品封装:TO-92产品类型:直插三极管产品品牌:浩畅是否含铅:无铅环保材料:硅胶产品极性:NPN管脚排列:EBC 反压..
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功率三极管S9015
直插三极管S9015本参数:产品封装:TO-92产品类型:直插三极管产品品牌:浩畅是否含铅:无铅环保材料:硅胶产品极性:PNP管脚排列:EBC 反压BVC..
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功率三极管S9014
直插三极管S9014基本参数:产品封装:TO-92产品类型:直插三极管产品品牌:浩畅是否含铅:无铅环保材料:硅胶产品极性:NPN管脚排列:EBC 反压B..
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放大直插三极管S9012
直插三极管S9012基本参数:产品封装:TO-92产品类型:直插三极管产品品牌:浩畅是否含铅:无铅环保材料:硅胶产品极性:PNP管脚排列:EBC 反压..
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直插三极管S9011
直插三极管S9011基本参数:产品封装:TO-92产品类型:直插三极管产品品牌:浩畅是否含铅:无铅环保材料:硅胶产品极性:NPN管脚排列:EBC 反压B..
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火爆销售场效应管MOS管7N60C
场效应管 7N60C TO-220F: 产品型号:7N60C 产品封装:TO-220F 产品品牌:浩畅是否环保:无铅环保 最小包装:1000PCS N沟道增强型功率MOSFET 特点: ..
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特价直销2A,600V,MOS管2N60C
深圳市浩畅半导体有限公司成立于2008年, 专业研发、生产、销售半导体分立器件及IC。选购国内外著名半导体厂家的晶圆芯片,OEM委托国内半导体封装大厂..
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特价销售场效应管5N60C封装TO-220F 电流5A 耐压600V
特价销售场效应管5N60C封装TO-220F 以下请看详细参数.场效应管 5N60C TO-220F: 产品型号:5N60C 产品封装:TO-220F 产品品牌:浩畅 是否环保:无铅..
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特价供应浩畅MOS管8N60C
场效应管 8N60C TO-220F: 产品型号:8N60C 产品封装:TO-220F 产品品牌:浩畅 是否环保:无铅环保 最小包装:1000PCS N沟道增强型功率MOSFET 特点:..
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特价场效应管4N60C封装TO-220F
场效应管 4N60C TO-220F: 产品型号:4N60C 产品封装:TO-220F 产品品牌:浩畅 是否环保:无铅环保 最小包装:1000PCS N沟道增强型功率MOSFET 特点:..
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FZ600R12KS4
EUPEC是欧洲电力半导体与电子公司(European Semiconductors and Electronics company)的英文缩写。成立于1990年,前身为西门子与AEG的电力半导体器..
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FP40R12KT3G
EUPEC是欧洲电力半导体与电子公司(European Semiconductors and Electronics company)的英文缩写。成立于1990年,前身为西门子与AEG的电力半导体器..
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FZ400R12KS4英飞凌模块
EUPEC是欧洲电力半导体与电子公司(European Semiconductors and Electronics company)的英文缩写。成立于1990年,前身为西门子与AEG的电力半导体器..
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FP75R12KT4
EUPEC是欧洲电力半导体与电子公司(European Semiconductors and Electronics company)的英文缩写。成立于1990年,前身为西门子与AEG的电力半导体器..
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FP25R12KT3英飞凌模块
EUPEC是欧洲电力半导体与电子公司(European Semiconductors and Electronics company)的英文缩写。成立于1990年,前身为西门子与AEG的电力半导体器..
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HAH1DR 900-S
瑞士莱姆(LEM)集团是国际知名的跨国公司,是电力,电子传感器方面的先驱和发明者。LEM公司专注于电参数的测量,同时也为测控系统提供安全,可靠,..
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广成canopen主站模块,高速处理,通讯稳定,支持二次开发!
广成canopen主站模块广泛应用于高速、大数据量通讯、工业以太网与CAN总线数据相互转换、工业控制设备 、电力通讯网络等领域 。十年来,广成科技已为..
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广成科技CANopen数据采集模块,体积小,功能强!
广成科技CANopen数据采集模块,体积小,功能强!CANopen数据采集模块广泛应用于汽车电子、变频器、客运轮船、风力发电等场合。十年来,经历了多种复..
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广成牌EPEC调试器,支持CoDeSys编程,支持CANmoon软件拷贝下载程序,支持PCAN View软件监控CAN数据。沈阳广成科技有限公司针对芬兰EPEC控制器,开发..
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N沟道增强型MOSFET TDM3550
N沟道增强型MOSFET TDM3550 描述 该TDM3550采用先进的沟槽技术 提供优异的RDS(ON)和低门电荷..
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N通道增强型MOSFET TDM3548
N通道增强型MOSFET TDM3548 描述 该TDM3548采用先进的沟槽技术 提供优异的RDS(ON)和低门电荷..
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N沟道增强型MOSFET TDM3536
N沟道增强型MOSFET TDM3536 一般描述 一般特征 该TDM3536采用先进的沟槽技术 RDS(O..
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泰德MOS管增强型MOSFET TDM3532 N通道 描述 该TDM3532采用先进的沟槽技术 提供优异的..
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N通道增强型MOSFET TDM3518
N通道增强型MOSFET TDM3518 描述 该TDM3518采用先进的沟槽技术 提供优异的RDS(ON)..
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N沟道增强型MOSFET TDM3512 描述 该TDM3512采用先进的沟槽技术 提供优异的RDS(ON)..
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N通道增强型MOSFET TDM3482
N通道增强型MOSFET TDM3482 描述 该TDM3482采用先进的沟槽技术 提供优异的RDS(ON)..
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N通道增强型MOSFET TDM3478 PPAK-3*3-8
N通道增强型MOSFET TDM3478 PPAK-3*3-8 描述 该TDM3478采用先进的沟槽技术 提供优异的RDS(ON)..
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N沟道增强型MOSFET TDM3458 描述 一般特征 TDM3458采用先进的沟槽技术 RDS(ON) ..
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N沟道增强型MOSFET TDM3452 描述 TDM3452采用先进的沟槽技术 提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷..
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N沟道增强型MOSFET TDM3436 描述 TDM3436采用先进的沟槽技术 提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷..
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P通道增强型MOSFET TDM3421 描述 TDM3421使用先进的沟槽 技术提供优秀的RDS(ON)和 ..
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N沟道增强型MOSFET TDM3408 描述 TDM3408采用先进的沟槽技术 提供出色的RDS(ON)和..
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